功率MOSFET的功率损耗公式
（1）：导通损耗
该公式对控制整流和同步整流均适用。
该公式在体二极管导通时适用。
（2）：容性开通和感性关断损耗
为MOSFET 器件与二极管回路中的所有分布电感只和。一般也可将这个损耗看成器件的感性关断损耗。
（3）：开关损耗
开通损耗：
考虑二极管反向恢复后：
关断损耗：
驱动损耗：
功率MOSFET的选择原则与步骤
（1）：选择原则
（A）：根据电源规格，合理选择MOSFET 器件（见下表）：
（B）：选择时，如工作电流较大，则在相同的器件额定参数下，
（2）：选择步骤
（A）：根据电源规格，计算所选变换器中MOSFET 的稳态参数：
（B）：从器件商的DATASHEET 中选择合适的MOSFET，可多选一些以便实验时比较；
（C）：从所选的MOSFET 的其它参数，如正向通态电阻，结电容等等，估算其工作时的最大损耗，与其它元器件的损耗一起，估算变换器的效率；
（D）：由实验选择最终的MOSFET 器件。
理想开关的基本要求
（1）：符号
（2）：要求
（A）：稳态要求
合上 K 后
断开 K 后
（B）：动态要求
K 的开通
K 的关断
（3）：波形
其中：H：控制高电平；L：控制低电平
用电子开关实现理想开关的限制
（1）：电子开关的电压和电流方向有限制
（2）：电子开关的稳态开关特性有限制
（3）：电子开关的动态开关特性有限制
目前作为开关的电子器件非常多。在开关电源中，用得最多的是二极管、MOSFET、IGBT 等，以及它们的组合。
电子开关的四种结构
（1）：单象限开关
（2）：电流双向（双象限）开关
（3）：电压双向（双象限）开关
（4）：四单象限开关
开关器件的分类
（1）：按制作材料分类
（2）：按是否可控分类
（3）：按工作频率分类
（4）：按额定可实现的最大容量分类
（5）：按导电载波的粒子分类：
不同开关器件的比较
（1）：几种可关断器件的功率处理能力比较
（2）：几种可关断器件的工作特性比较
上面的数据会随器件的发展而不断变化，仅供参考。
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