[测试] 晶体管和FET的ICT 测试程式！ [复制链接]

在上线维护过程中，其中主要的一项便是晶体和FET的测试，主要是错件，漏件，反向及饱和导通性的测试。 以JET 和 TRI为例，其主要方式均为：先进行DIODE测试，可以测出BC，BE 是否正常，其后用N或P模式进行饱和测试，相当一部分情况需要加一定DELAY，且注意模式的正确性，如果选错了当然结果也就不言自明了！

    FET为结型N沟道可利用N模式，不过时间要加长，当然饱和导通时STD值应该在0。3V及以下！

  不过详细说来挺长的，有兴趣的朋友可以常沟通！

这方面的教材我这有一些！

不错，不过过于简单了，我也是做ICT测试出来的，有兴趣大家交流交流。
我的地址是Gordonmain@163.com

一个TR可以当做两个Diode来测试， 三极管的测试程序要根据线路图里Dide实际情况来编辑。有时候也可以把晶体管和FET当作电容来测试。以PF级为标准，正负10%限制，Mode:2 一般用25PF~100PF之间的数值。
气压针床式的ICT其实对晶体管和FET测试很不完善，并且也不是很准确。
各种测试都是互补的，可能ICT测试不到的地方就需要在别的测试工序(Function Test)进行补充测试。

简单吗？来个稍复杂的:)
详细的请连接TC100 MANUAL
http://bbs.smthome.net/read.php?tid=3538

楼上TIANJIN兄弟，我想在此提出一点点意见：
关于TR 的测试程式，我看了你的文件，共6 STEP ，但有明显错误之处。一起讨论吧！

  NPN MODE 测试时，A PIN 和B PIN 应该为C、E脚，G PIN 一定为管子的基极才对吧？

  饱和导通时其测试的STD 为0.2 v 以下才说明有效，也才可以判断其好坏与反向装配！

不过这种机型现在好像跟不上功能和测试需要了吧！

那样的程序根本就不能完整的测试晶体管，也能测试但是很有限啊！还是要做功能测试的时候来检查。

The test modes are NPN and PNP.

- Connect a collector of Tr. to pin A, a base to pin B and an emitter to pin G.

- Pressing F3 key at this condition sets the voltage between collector and emitter to the

value, which is close to 1.0V, varying the electric current that flows in the base of Tr.

- In case user varies the Bias voltage, the standard value (or test value) becomes larger

and smaller.

- Setting the standard value as close as 1.0V is profitable to distinguish a defect.

Device Rated   STD   Meas   Bias   Apin Bpin G-1 G-2 G-3 G-4 G-5

DNPN1   0.25 V   0.8 V 0.85 V   1 V   1   2     3   0   0   0   0
我的资料是这样的，但实际上NPN,PNP测试不太稳定，不过我作的试验如漏插，偏脚，反插都可测，只有插成同种类型的TR无法测出。
大家有好的测试方法请帖出来，让我学学


:) :) 如果我的资料有错误，天哪！我可犯了大错了:( :( :(

[QUOTE]最初由 janer 发表
[B]楼上TIANJIN兄弟，我想在此提出一点点意见：
关于TR 的测试程式，我看了你的文件，共6 STEP ，但有明显错误之处。一起讨论吧！

  NPN MODE 测试时，A PIN 和B PIN 应该为C、E脚，G PIN 一定为管子的基极才对?.. [/B][/QUOTE]
饱和导通时，原理应该是这样测试的，使BC间正向偏置，CE间电压应小于0.3V；但我的设备有NPN测量方式，与普通的D测量不同，我作了试验，按照你的方法测试值4.7V，按资料的方法为114mv,我的手上没有关于NPN方式的供电电压原理，我不清楚具体的测试原理？？
:(

关于NPN和PNP的测试，其实这要比MOS   FET要容易多了，现在举例说明：
  如果用NPN来说吧，当然，所有机型均应支持饱和导通的测试，即你使用的ICT一定要有可做饱和导通测试的功能才行。
前面两个步骤的测试方式很简单的，BC和BE给DC 2V左右的电压，量测到0.7V左右便正确了，即是一般二极管的方式都可以的。
主要的是CE极的饱和，一般来讲，三极管的导通得符合两个条件，：）不用说是什么了吧，发射结正向偏置，集电结反向偏置）
所以呢，BE结当然加正向压降，约0.7v左右，向上加电压，如果支持的机型会自动加反向压降在BC之间，无需自己设定了，饱和之后CE极理论上电压为零，电阻为0，电流无穷大。但实际都知道是不可能的，所以ICT上会设置为一个上限，即0.2v，下限到0，即是指从0到0.2V之间为正常导通了，如果不是这个值则说明这个设置错误，或是装配不正确，或是管子不正常了，

当然，PNP型方式一样了，只不过它的条件不一样罢了！

注意： 测试脚一定为CE，B极则为基极！
    饱和时CE电压在0.2V以下，否则不正常！

希望更多朋友交流！   JET ,TRI ,都适用·

有一定道理，但也不能完全测试，就是有的用以上的方法，也无法测试

:D 测试中没有哪一种方法可以100%完全的，具体情况得具体分析，再选择相对最有效果的一种方式。 我想大家都非常有这方面的经验了吧！

http://www.smt.net.cn/bbas/list.asp?boardid=23   多技持呀！

能不能帮我把这个资料传过来啊

菜鸟路过