无铅工艺中使用有铅BGA [复制链接]

我们最近试产了一款手机，为无铅工艺，但有一个BGA为有铅的（客户指定）。不过在生产测试过程中并没有发现问题，且照X-RAY焊接良好。不知道大家有没有这样的经历，你们是怎样处理的。
我们使用的是INDIUM SMQ230的无铅锡膏。
炉温设定为 105   125     140   165   185     205     220       245     255     245
              105   125     140   165   185     205     220       245     255     245
Refllow time:65-70s
Peak   temp:232-236度

既然Refllow是好的...，Peak temp:232-236度为无铅的下限...，关心的还是PAD侧界面的合金生长情况...可能会单薄一些...，可用温度冲击实验或切片来征实有无隐患存在...。

同意刘工的建议，并且去把peak温度降低5~8度后两个对比去做做切片。

无铅工艺中使用有铅BGA
这样做有什么用呢？

我们也有过一段类似的生产，关键的思路是尽量延长预热时间以及缩短有铅锡球和无铅锡膏的熔点之间的距离。我们用的锡膏是Loctite LF300。

请问panda-liu温度冲击实验怎么做？它和切片的目的有什么不同？THS！

温度冲击实验主要根据产品的使用环境条件...选择一适合的ΔT（温度）等级（相关IPC中有）...通过高低温的周期性冲击...得到被焊结合层温度冲击前后的对比状态和被破坏趋势...；切片的目的只有一个...就是展示被焊结合层一般状态...可与温度冲击实验结合...也可单独进行...。

呵呵，有意思，我在为有铅工艺做无铅的BGA苦恼，有人又在为无铅工艺做有铅的ＢＧＡ烦恼，看来，在无铅导入之前混合焊接工艺还真会困绕着我们！
不过，有铅ｂｇａ做无铅工艺，我倒担心芯片能否经得起无铅焊接的温度冲击！
另外，有关资料表明，无铅工艺做有铅的BGA会导致潜在的可靠性问题！因此不推荐这样做！

嘿嘿,这个是哪个客户啊,不错嘛,我就说了,看这个炉温曲线,怎么就象indium的要求的. 关于合金层,只要有生成就ok了,Dr. Lee做过试验,证明合金层只要2-4微米就是最好的(那个很难控制),一般我们控制在10微米以内.我看这个温度不错,有点:低回流,适当延长回流时间的工艺控制. 兄弟,不容易,无铅焊锡,有铅球很难做到气泡合格的.

楼主算是幸福的了，一般问题不大，要是让你在无铅上用有铅的的BGA才更痛苦，小Chip电容很多会烧变色的，有些连接器还会溶，这通常都是物料管控的问题，跟原材料厂商的 Roll In计划没排好才会弄出这样的问题，两种情况都不予推荐

你们觉得这有用吗？无铅的用有铅的BGA，在回流时，BGA焊点熔化掉，那还是没有满足最初无铅的目的，不知道各位怎么想的？

下面是引用tomlan于2005-04-03 23:46发表的:
嘿嘿,这个是哪个客户啊,不错嘛,我就说了,看这个炉温曲线,怎么就象indium的要求的. 关于合金层,只要有生成就ok了,Dr. Lee做过试验,证明合金层只要2-4微米就是最好的(那个很难控制),一般我们控制在10微米以内.我看这个温度不错,有点:低回流,适当延长回流时间的工艺控制. 兄弟,不容易,无铅焊锡,有铅球很难做到气泡合格的.

2-4微米的感觉象头发...10微米感觉象胡碴...，有铅的250C、3~5S就会形成2~13微米的合金层...，无铅的会怎样啊...，老大弄个indium的权威看看吧...。

注意peak不要超过236，否则bga会出现IMC层生长过厚而断裂，导致失效

上次参加Intel的培训，其中也讲到这种混合工艺技术的问题，这样做的最直接问题就是会导致锡球中产生大量的空洞，而且空洞面积会比正常的工艺大得多，因此不推荐这样做！从他们所作的切片实验中可明显看得出来这一现象！