多谢老刘的资料提供,给了一个比较好的方向指引.
前天讲到要通过降低峰值温度来实验,后来同时又考虑到恒温温度过高会对润湿效果产生影响,所以一并做了轻微调整.现在的温度设定是:
140 170 165 165 165 185 225 255 从曲线来看,BGA点的峰值温度已经控制在236℃,外面的CHIP元件最高温度在239℃,整个峰值温度降低了3℃.>183℃的时间在104S,>217℃的时间在44-47S,175℃--180℃的时间控制在了19S,详细见附件的曲线图.
今天也去照了X-RAY,虽然没有第一类方案那么空洞少,但在有铅锡高和无铅无料这种混合工艺的状态下,我们应当想办法把空洞面积控制在可以接受的范围之内,而不能一味的为了解决空洞问题,而忽视其它可靠性的产生,比如过长过高的温度引起的焊点炭化,IMC太厚, 损伤元件等等.详细X-RAY图片见附件.
下周开始,我们将分阶段,分批次的导入此方案,并不定期跟踪观察实施结果.
还有一点值得提的是,我们在做X-RAY时,一定要预先设定好设备的参数,在开始照之前就不能随意改变.不然就得不到自己想要的对比实验结果.比如对辐射电压的调动和图象显示清晰程度的改动,都会影响空洞面积的大小.
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